Melhor resposta
Construção do transistor
Muitos tipos de transistores são feitos de uma peça sólida de um semicondutor material, com pelo menos três terminais para conexão a um circuito externo. O elemento mais básico de um módulo de potência de transistor é o chip de silício. Por causa do alto ganho das configurações de Darlington, a maioria dos tipos bipolares de transistores e módulos de transistor contém chips de transistor Darlington. Alguns desses chips são estruturas planas, conforme ilustrado na Figura 1.1 . A superfície de um chip planar pode ser facilmente tratada, simplificando a produção em massa. Vários fabricantes empregam padrões de emissor de linha fina de última geração, resultando em excelente ganho e desempenho seguro da área de operação. Altas tensões de bloqueio são obtidas usando um processo de difusão tripla e anéis de proteção.
A Figura 1.2 ilustra a construção interna de um módulo transistor. O chip do transistor é soldado a uma base de molibdênio. A base de molibdênio alivia o estresse térmico no chip devido aos coeficientes de expansão térmica quase equivalentes do silício e do molibdênio. Este conjunto é então soldado a um eletrodo coletor de cobre junto com um chip de diodo de rotação livre. O eletrodo de cobre, por sua vez, é soldado a um substrato de cerâmica. O substrato de cerâmica pode suportar 2.000 a 2.500 volts sem aumentar significativamente a resistência térmica do dispositivo. Os chips são ligados com fio de alumínio e, em seguida, encapsulados com gel de silicone para proteger as superfícies do chip. Por fim, o pacote é preenchido com resina epóxi para aumentar a resistência mecânica e ambiental.
Aplicações de transistores
A aplicação adequada de semicondutores de potência requer uma compreensão de suas classificações máximas e características elétricas, informações que são apresentadas na folha de dados do dispositivo. A boa prática de design emprega limites da planilha de dados e não informações obtidas de pequenos lotes de amostra. Uma classificação é um valor máximo ou mínimo que define um limite na capacidade do dispositivo. A operação em excesso de uma classificação pode resultar em degradação irreversível ou falha do dispositivo. As classificações máximas representam capacidades extremas de um dispositivo. Elas não devem ser usadas como condições de design. Uma característica é uma medida de desempenho do dispositivo sob as especificações ed condições operacionais expressas por valores mínimo, típico e / ou máximo, ou mostrado graficamente.
Este diagrama representa um simples Símbolo semático do transistor bipolar. Mais especificamente, este símbolo representa um Transistor Bipolar NPN.
Resposta
Para um FET, você tem quatro terminais (locais aos quais você pode se conectar eletricamente): A fonte, dreno, porta, e volume / substrato. A porta é a tensão de controle e não consome corrente CC. A tensão diferencial porta-fonte é o que modula a corrente. O bulk / substrate é geralmente conectado diretamente à fonte, mas cria um diodo parasita se conectado a outra voltagem (e afeta ligeiramente a característica Vgs vs corrente). A tensão de dreno deve ser maior do que a tensão da fonte (NMOS, oposto para PMOS) e idealmente não afeta a corrente através do transistor. na verdade, isso o afeta, mas não muito. Há também o Canal, que é a região geometricamente “sob” a porta que conduz, não conduz ou algo intermediário com base na tensão Vgs. Não é um terminal disponível no dispositivo
Para um transistor bipolar, você tem Emissor, Base, Coletor e substrato. A corrente de base flui para o emissor e um múltiplo dessa corrente flui do coletor para o emissor, que fornece o ganho do transistor. O ganho é frequentemente modelado com base na tensão, usando a equação I = Is * exp (Vbe / Vt), que você pode aprender facilmente na web. O substrato é muitas vezes ignorado, pois, na maioria das vezes, apenas fornece isolamento elétrico de outros dispositivos.